BSS138LT1G Onsemi Mosfet Trans N CH 50V 0.2A 3 Pinli SOT-23 T/R

BSS138LT1G ONsemi Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R

ON Semiconductor MOSFET, geliştirme modunda çalışan bir N kanallı MOSFET transistörüdür.Maksimum güç kaybı 225 mW'dir.Ürünün maksimum Drenaj Kaynak Voltajı 50 V ve Kapı Kaynak Voltajı ±20 V'dir. Bu MOSFET'in çalışma sıcaklığı -55 °C ila 150 °C arasındadır.

Özellikler ve faydalar:
• Düşük Eşik Gerilimi (VGS(th): 0,85 V-1,5 V) Alçak Gerilim Uygulamaları için İdealdir
• Minyatür SOT-23 Yüzey Montaj Paketi Pano Alanından Tasarruf Sağlar
• Benzersiz Yer ve Kontrol Değişikliği Gereksinimleri Gerektiren Otomotiv ve Diğer Uygulamalar için BVSS Öneki;AEC-Q101 Nitelikli ve PPAP Uyumlu
• Bu Cihazlar Pb İçermez, Halojen İçermez/BFR İçermez ve RoHS Uyumludur

Başvuru:
• DC-DC dönüştürücüler
• Bilgisayarlar gibi taşınabilir ve pille çalışan ürünlerde güç yönetimi
• Yazıcılar
• PCMCIA kartları
• Hücresel ve kablosuz telefonlar.

ON Semiconductor'ın BSS138LT1G güç MOSFET'inin yardımıyla elektronik sinyalleri güçlendirin ve bunlar arasında geçiş yapın.Maksimum güç kaybı 225 mW'dir.Güvenli teslimatı sağlamak ve teslimattan sonra bu bileşenin hızlı montajını sağlamak için nakliye sırasında bant ve makara ambalajına sarılacaktır.Bu MOSFET transistör -55 °C ila 150 °C çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.Bu cihaz tmos teknolojisini kullanır.Bu N kanallı MOSFET transistörü geliştirme modunda çalışır.